今年第一季度存储器价格继续全面上涨 再创历史新高

卡在存储上的今年价格继续装机朋友估计还得等很久了，TrendForce集邦咨询发布最新存储器产业研报显示，第季度存受AI与数据中心需求持续激增推动，储器全球存储器市场供需失衡加剧，全面2026年第一季度（Q1）DRAM、上涨NAND Flash各类产品价格全面大幅上涨，再创多个细分品类季增幅度创下历史新高，历史且不排除后续进一步上修的新高可能。

研报指出，今年价格继续此次价格上涨的第季度存核心驱动力来自需求端的爆发式增长。

随着AI推理应用场景持续扩大，储器北美、全面中国各大云端服务业者（CSP）、上涨服务器厂商（Server OEM）对高性能存储器的再创备货需求强烈，而PC整机2025年第四季度出货量超预期，历史进一步加剧了PC DRAM的缺货态势，头部PC OEM厂商库存水平持续下滑。

供给端方面，存储器原厂更看好DRAM市场的获利前景，将部分产线转向DRAM生产，导致NAND Flash新增产能被压缩，仅能通过制程升级勉强提升单位产出，短期产能瓶颈难以缓解，原厂议价能力显著增强，市场呈现明显的卖方市场特征。

具体价格涨幅方面，DRAM类产品成为上涨主力。

整体Conventional DRAM合约价季增幅度从1月初预估的55%-60%上调至90%-95%；

PC DRAM（DDR4&DDR5混合）价格预计季增105%-110%，涨幅超一倍，创下历史新高；

Server DRAM价格季增88%-93%，Mobile DRAM中LPDDR4X、LPDDR5X合约价季增均达88%-93%，均为历年最高水平；

高带宽存储器（HBM）混合合约价也实现80%-85%的季度增长。

NAND Flash类产品同样涨幅显著，整体合约价季增幅度从33%-38%上调至55%-60%。

值得注意的是，手机厂商的存储器采购谈判进度存在差异。

美系手机客户2026年Q1的Mobile DRAM合约价已于2025年底完成议定，而中系手机客户受2025年第四季度合约价刚敲定及农历春节长假影响，相关谈判预计最快需至2月底才会取得实质进展。

此次存储器价格的大幅上涨，将对终端电子设备生产成本、供应链备货策略产生显著影响。

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